(資料圖片僅供參考)

據(jù)《科創(chuàng)板日報》消息，存儲大廠美光正在美國建設(shè)HBM產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM、在日本新建DRAM廠，目標(biāo)是在2025年將公司HBM市占率提高兩倍以上，達(dá)到20%左右。其背景是，全球HBM產(chǎn)能嚴(yán)重不足。

中信建投分析稱，不光是2024年，存儲原廠連2025年的HBM產(chǎn)能也已被預(yù)訂一空，訂單能見度甚至直達(dá)2026年一季度。因此美光選擇了全球擴(kuò)產(chǎn)。不過，因布局較晚，美光的HBM單月產(chǎn)能目前仍僅為SK海力士的1/19。而SK海力士雖然在HBM競逐中保持領(lǐng)先，并也已走上大幅擴(kuò)產(chǎn)的路。三星也預(yù)計今年HBM產(chǎn)能將增至去年的2.9倍。技術(shù)迭代方面，SK海力士和三星據(jù)悉都已完成采用16層“混合鍵合”的HBM內(nèi)存技術(shù)驗證，未來將用于HBM4量產(chǎn)。而我國HBM企業(yè)也已開啟提速追趕之路。業(yè)內(nèi)指出，目前國內(nèi)已有材料公司、封測公司、IC設(shè)備廠，也有代銷商等打入HBM產(chǎn)業(yè)鏈。I芯片需求高增下，HBM的缺產(chǎn)狀況仍會持續(xù)較長一段時間，除了海外三大存儲巨頭將受益需求“量價齊升”并加大資金開支，具有成本和產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢的國內(nèi)企業(yè)，也會加速介入更多HBM生產(chǎn)環(huán)節(jié)。可關(guān)注在封測、設(shè)備、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)供貨能力較強(qiáng)的國內(nèi)企業(yè)的受益性。

華福證券提到，HBM未來的三個迭代趨勢亦共同驅(qū)動HBM量價齊升：(1)HBM3E成高端GPU標(biāo)配。(2)HBM3E從8層逐漸升級至12層。(3)單GPU中HBM容量提升。根據(jù)我們的測算，我們認(rèn)為HBM需求量在24、25年亦將翻倍增長，25年需求量有望達(dá)20.8億GB，整體市場規(guī)模有望達(dá)311億美元。考慮HBM與GPU出貨的時間差與GPU廠商的HBM庫存建立，我們認(rèn)為即使原廠大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，HBM在未來仍將長期處于供不應(yīng)求態(tài)勢。也正基于此，今年Q2原廠已針對25年HBM進(jìn)行議價，價格初步調(diào)漲5~10%。HBM設(shè)備建議關(guān)注：賽騰股份、精智達(dá)、芯源微、拓荊科技等HBM材料建議關(guān)注：華海誠科、聯(lián)瑞新材、強(qiáng)力新材、飛凱材料等。

標(biāo)簽：