三星宣布：12nm級工藝DDR5DRAM內(nèi)存芯片開始量產(chǎn)

三星電子官方宣布，采用12nm級工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)開始量產(chǎn)。

新內(nèi)存單顆容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，相當(dāng)于每秒可處理兩部30GB的超高清電影。

對比上一代產(chǎn)品，12nm DDR5的功耗降低了多達(dá)23%，同時晶圓生產(chǎn)率提高了20%，特別有助于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心節(jié)能減排。

三星透露，12nm級工藝的開發(fā)基于一種新型高K材料，可提高電池電容，使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準(zhǔn)確地區(qū)分。

同時，三星還在降低工作電壓、噪聲方面取得了新的成果。

值得一提的是，三星還在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平臺的兼容性評估。

標(biāo)簽： 三星芯片 存儲器產(chǎn)業(yè) 存儲行業(yè)發(fā)展前